IRLML2502GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
Osa numero
IRLML2502GTRPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
Micro3™/SOT-23
Tehonhäviö (maks.)
1.25W (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 15V
Vgs (max)
±12V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 46117 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRLML2502GTRPBF
IRLML2502GTRPBF Elektroniset komponentit
IRLML2502GTRPBF Myynti
IRLML2502GTRPBF Toimittaja
IRLML2502GTRPBF Jakelija
IRLML2502GTRPBF Tietotaulukko
IRLML2502GTRPBF Kuvat
IRLML2502GTRPBF Hinta
IRLML2502GTRPBF Tarjous
IRLML2502GTRPBF Alin hinta
IRLML2502GTRPBF Hae
IRLML2502GTRPBF Ostaminen
IRLML2502GTRPBF Chip