IRLMS2002GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP
Osa numero
IRLMS2002GTRPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
SOT-23-6
Toimittajan laitepaketti
Micro6™(SOT23-6)
Tehonhäviö (maks.)
2W (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1310pF @ 15V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 8221 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRLMS2002GTRPBF
IRLMS2002GTRPBF Elektroniset komponentit
IRLMS2002GTRPBF Myynti
IRLMS2002GTRPBF Toimittaja
IRLMS2002GTRPBF Jakelija
IRLMS2002GTRPBF Tietotaulukko
IRLMS2002GTRPBF Kuvat
IRLMS2002GTRPBF Hinta
IRLMS2002GTRPBF Tarjous
IRLMS2002GTRPBF Alin hinta
IRLMS2002GTRPBF Hae
IRLMS2002GTRPBF Ostaminen
IRLMS2002GTRPBF Chip