SPD03N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
Osa numero
SPD03N60C3BTMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
CoolMOS™
Osan tila
Last Time Buy
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Tehonhäviö (maks.)
38W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 135µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 52079 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SPD03N60C3BTMA1
SPD03N60C3BTMA1 Elektroniset komponentit
SPD03N60C3BTMA1 Myynti
SPD03N60C3BTMA1 Toimittaja
SPD03N60C3BTMA1 Jakelija
SPD03N60C3BTMA1 Tietotaulukko
SPD03N60C3BTMA1 Kuvat
SPD03N60C3BTMA1 Hinta
SPD03N60C3BTMA1 Tarjous
SPD03N60C3BTMA1 Alin hinta
SPD03N60C3BTMA1 Hae
SPD03N60C3BTMA1 Ostaminen
SPD03N60C3BTMA1 Chip