SPP15P10PGHKSA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
Osa numero
SPP15P10PGHKSA1
Valmistaja/merkki
Sarja
SIPMOS®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
PG-TO-220-3
Tehonhäviö (maks.)
128W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1.54mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1280pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 53511 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SPP15P10PGHKSA1
SPP15P10PGHKSA1 Elektroniset komponentit
SPP15P10PGHKSA1 Myynti
SPP15P10PGHKSA1 Toimittaja
SPP15P10PGHKSA1 Jakelija
SPP15P10PGHKSA1 Tietotaulukko
SPP15P10PGHKSA1 Kuvat
SPP15P10PGHKSA1 Hinta
SPP15P10PGHKSA1 Tarjous
SPP15P10PGHKSA1 Alin hinta
SPP15P10PGHKSA1 Hae
SPP15P10PGHKSA1 Ostaminen
SPP15P10PGHKSA1 Chip