IXDI602SITR
2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
Osa numero
IXDI602SITR
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Syötteen tyyppi
Inverting
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC-EP
Jännite - Syöttö
4.5 V ~ 35 V
Kanavan tyyppi
Independent
Ohjattu kokoonpano
Low-Side
Kuljettajien määrä
2
Portin tyyppi
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logiikkajännite - VIL, VIH
0.8V, 3V
Virta – huipputeho (lähde, nielu)
2A, 2A
Korkea sivujännite - Max (käynnistyshihna)
-
Nousu-/laskuaika (tyyppi)
7.5ns, 6.5ns
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 10705 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXDI602SITR
IXDI602SITR Elektroniset komponentit
IXDI602SITR Myynti
IXDI602SITR Toimittaja
IXDI602SITR Jakelija
IXDI602SITR Tietotaulukko
IXDI602SITR Kuvat
IXDI602SITR Hinta
IXDI602SITR Tarjous
IXDI602SITR Alin hinta
IXDI602SITR Hae
IXDI602SITR Ostaminen
IXDI602SITR Chip