Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
IXDI502SIAT/R

IXDI502SIAT/R

IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8SOIC
Osa numero
IXDI502SIAT/R
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Syötteen tyyppi
Inverting
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Jännite - Syöttö
4.5 V ~ 30 V
Kanavan tyyppi
Independent
Ohjattu kokoonpano
Low-Side
Kuljettajien määrä
2
Portin tyyppi
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logiikkajännite - VIL, VIH
0.8V, 3V
Virta – huipputeho (lähde, nielu)
2A, 2A
Korkea sivujännite - Max (käynnistyshihna)
-
Nousu-/laskuaika (tyyppi)
7.5ns, 6.5ns
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 38275 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta IXDI502SIAT/R
IXDI502SIAT/R Elektroniset komponentit
IXDI502SIAT/R Myynti
IXDI502SIAT/R Toimittaja
IXDI502SIAT/R Jakelija
IXDI502SIAT/R Tietotaulukko
IXDI502SIAT/R Kuvat
IXDI502SIAT/R Hinta
IXDI502SIAT/R Tarjous
IXDI502SIAT/R Alin hinta
IXDI502SIAT/R Hae
IXDI502SIAT/R Ostaminen
IXDI502SIAT/R Chip