Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
IXFN300N10P

IXFN300N10P

MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
Osa numero
IXFN300N10P
Valmistaja/merkki
Sarja
Polar™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Chassis Mount
Paketti / kotelo
SOT-227-4, miniBLOC
Toimittajan laitepaketti
SOT-227B
Tehonhäviö (maks.)
1070W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
295A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
279nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 9512 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta IXFN300N10P
IXFN300N10P Elektroniset komponentit
IXFN300N10P Myynti
IXFN300N10P Toimittaja
IXFN300N10P Jakelija
IXFN300N10P Tietotaulukko
IXFN300N10P Kuvat
IXFN300N10P Hinta
IXFN300N10P Tarjous
IXFN300N10P Alin hinta
IXFN300N10P Hae
IXFN300N10P Ostaminen
IXFN300N10P Chip