IXFP26N50P3
MOSFET N-CH 500V 26A TO-220
Osa numero
IXFP26N50P3
Valmistaja/merkki
Sarja
HiPerFET™, Polar3™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220AB
Tehonhäviö (maks.)
500W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2220pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 7826 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXFP26N50P3
IXFP26N50P3 Elektroniset komponentit
IXFP26N50P3 Myynti
IXFP26N50P3 Toimittaja
IXFP26N50P3 Jakelija
IXFP26N50P3 Tietotaulukko
IXFP26N50P3 Kuvat
IXFP26N50P3 Hinta
IXFP26N50P3 Tarjous
IXFP26N50P3 Alin hinta
IXFP26N50P3 Hae
IXFP26N50P3 Ostaminen
IXFP26N50P3 Chip