IXFP4N85XM
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220
Osa numero
IXFP4N85XM
Valmistaja/merkki
Sarja
HiPerFET™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3 Full Pack
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Tehonhäviö (maks.)
35W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
850V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
247pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 30889 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXFP4N85XM
IXFP4N85XM Elektroniset komponentit
IXFP4N85XM Myynti
IXFP4N85XM Toimittaja
IXFP4N85XM Jakelija
IXFP4N85XM Tietotaulukko
IXFP4N85XM Kuvat
IXFP4N85XM Hinta
IXFP4N85XM Tarjous
IXFP4N85XM Alin hinta
IXFP4N85XM Hae
IXFP4N85XM Ostaminen
IXFP4N85XM Chip