IXFT150N17T2
MOSFET N-CH
Osa numero
IXFT150N17T2
Valmistaja/merkki
Sarja
HiPerFET™, TrenchT2™
Osan tila
Active
Pakkaus
-
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Toimittajan laitepaketti
TO-268
Tehonhäviö (maks.)
880W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
175V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
233nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
14600pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 23752 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXFT150N17T2
IXFT150N17T2 Elektroniset komponentit
IXFT150N17T2 Myynti
IXFT150N17T2 Toimittaja
IXFT150N17T2 Jakelija
IXFT150N17T2 Tietotaulukko
IXFT150N17T2 Kuvat
IXFT150N17T2 Hinta
IXFT150N17T2 Tarjous
IXFT150N17T2 Alin hinta
IXFT150N17T2 Hae
IXFT150N17T2 Ostaminen
IXFT150N17T2 Chip