IXFT88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
Osa numero
IXFT88N30P
Valmistaja/merkki
Sarja
HiPerFET™, PolarP2™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Toimittajan laitepaketti
TO-268
Tehonhäviö (maks.)
600W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
300V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6300pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 8984 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXFT88N30P
IXFT88N30P Elektroniset komponentit
IXFT88N30P Myynti
IXFT88N30P Toimittaja
IXFT88N30P Jakelija
IXFT88N30P Tietotaulukko
IXFT88N30P Kuvat
IXFT88N30P Hinta
IXFT88N30P Tarjous
IXFT88N30P Alin hinta
IXFT88N30P Hae
IXFT88N30P Ostaminen
IXFT88N30P Chip