IXTA110N12T2
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
Osa numero
IXTA110N12T2
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchT2™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (IXTA)
Tehonhäviö (maks.)
517W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
120V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6570pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 9010 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXTA110N12T2
IXTA110N12T2 Elektroniset komponentit
IXTA110N12T2 Myynti
IXTA110N12T2 Toimittaja
IXTA110N12T2 Jakelija
IXTA110N12T2 Tietotaulukko
IXTA110N12T2 Kuvat
IXTA110N12T2 Hinta
IXTA110N12T2 Tarjous
IXTA110N12T2 Alin hinta
IXTA110N12T2 Hae
IXTA110N12T2 Ostaminen
IXTA110N12T2 Chip