IXTA1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
Osa numero
IXTA1N200P3HV
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (IXTA)
Tehonhäviö (maks.)
125W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
2000V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
23.5nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
646pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 32658 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXTA1N200P3HV
IXTA1N200P3HV Elektroniset komponentit
IXTA1N200P3HV Myynti
IXTA1N200P3HV Toimittaja
IXTA1N200P3HV Jakelija
IXTA1N200P3HV Tietotaulukko
IXTA1N200P3HV Kuvat
IXTA1N200P3HV Hinta
IXTA1N200P3HV Tarjous
IXTA1N200P3HV Alin hinta
IXTA1N200P3HV Hae
IXTA1N200P3HV Ostaminen
IXTA1N200P3HV Chip