IXTA26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO-263
Osa numero
IXTA26P20P
Valmistaja/merkki
Sarja
PolarP™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (IXTA)
Tehonhäviö (maks.)
300W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2740pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 6525 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXTA26P20P
IXTA26P20P Elektroniset komponentit
IXTA26P20P Myynti
IXTA26P20P Toimittaja
IXTA26P20P Jakelija
IXTA26P20P Tietotaulukko
IXTA26P20P Kuvat
IXTA26P20P Hinta
IXTA26P20P Tarjous
IXTA26P20P Alin hinta
IXTA26P20P Hae
IXTA26P20P Ostaminen
IXTA26P20P Chip