IXTA2R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
Osa numero
IXTA2R4N120P
Valmistaja/merkki
Sarja
Polar™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (IXTA)
Tehonhäviö (maks.)
125W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
1200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1207pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 23502 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXTA2R4N120P
IXTA2R4N120P Elektroniset komponentit
IXTA2R4N120P Myynti
IXTA2R4N120P Toimittaja
IXTA2R4N120P Jakelija
IXTA2R4N120P Tietotaulukko
IXTA2R4N120P Kuvat
IXTA2R4N120P Hinta
IXTA2R4N120P Tarjous
IXTA2R4N120P Alin hinta
IXTA2R4N120P Hae
IXTA2R4N120P Ostaminen
IXTA2R4N120P Chip