IXTA3N120TRL
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Osa numero
IXTA3N120TRL
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (IXTA)
Tehonhäviö (maks.)
200W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
1200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 42993 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXTA3N120TRL
IXTA3N120TRL Elektroniset komponentit
IXTA3N120TRL Myynti
IXTA3N120TRL Toimittaja
IXTA3N120TRL Jakelija
IXTA3N120TRL Tietotaulukko
IXTA3N120TRL Kuvat
IXTA3N120TRL Hinta
IXTA3N120TRL Tarjous
IXTA3N120TRL Alin hinta
IXTA3N120TRL Hae
IXTA3N120TRL Ostaminen
IXTA3N120TRL Chip