IXTH24P20
MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD
Osa numero
IXTH24P20
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-247-3
Toimittajan laitepaketti
TO-247 (IXTH)
Tehonhäviö (maks.)
300W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4200pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 47029 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXTH24P20
IXTH24P20 Elektroniset komponentit
IXTH24P20 Myynti
IXTH24P20 Toimittaja
IXTH24P20 Jakelija
IXTH24P20 Tietotaulukko
IXTH24P20 Kuvat
IXTH24P20 Hinta
IXTH24P20 Tarjous
IXTH24P20 Alin hinta
IXTH24P20 Hae
IXTH24P20 Ostaminen
IXTH24P20 Chip