IXTN660N04T4
40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
Osa numero
IXTN660N04T4
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchT4™
Osan tila
Active
Pakkaus
Bulk
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Chassis Mount
Paketti / kotelo
SOT-227-4, miniBLOC
Toimittajan laitepaketti
SOT-227B
Tehonhäviö (maks.)
1040W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
Current Sensing
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
660A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
0.85 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
860nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
44000pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±15V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 24119 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXTN660N04T4
IXTN660N04T4 Elektroniset komponentit
IXTN660N04T4 Myynti
IXTN660N04T4 Toimittaja
IXTN660N04T4 Jakelija
IXTN660N04T4 Tietotaulukko
IXTN660N04T4 Kuvat
IXTN660N04T4 Hinta
IXTN660N04T4 Tarjous
IXTN660N04T4 Alin hinta
IXTN660N04T4 Hae
IXTN660N04T4 Ostaminen
IXTN660N04T4 Chip