IXTP120P065T
MOSFET P-CH 65V 120A TO-220
Osa numero
IXTP120P065T
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchP™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220AB
Tehonhäviö (maks.)
298W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
65V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
185nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
13200pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±15V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen chen_hx1688@hotmail.com, vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 28943 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXTP120P065T
IXTP120P065T Elektroniset komponentit
IXTP120P065T Myynti
IXTP120P065T Toimittaja
IXTP120P065T Jakelija
IXTP120P065T Tietotaulukko
IXTP120P065T Kuvat
IXTP120P065T Hinta
IXTP120P065T Tarjous
IXTP120P065T Alin hinta
IXTP120P065T Hae
IXTP120P065T Ostaminen
IXTP120P065T Chip