IXTP26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO-220
Osa numero
IXTP26P20P
Valmistaja/merkki
Sarja
PolarP™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220AB
Tehonhäviö (maks.)
300W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2740pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 41543 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXTP26P20P
IXTP26P20P Elektroniset komponentit
IXTP26P20P Myynti
IXTP26P20P Toimittaja
IXTP26P20P Jakelija
IXTP26P20P Tietotaulukko
IXTP26P20P Kuvat
IXTP26P20P Hinta
IXTP26P20P Tarjous
IXTP26P20P Alin hinta
IXTP26P20P Hae
IXTP26P20P Ostaminen
IXTP26P20P Chip