IXTP32P20T
MOSFET P-CH 200V 32A TO-220
Osa numero
IXTP32P20T
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchP™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220AB
Tehonhäviö (maks.)
300W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
185nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
14500pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±15V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 28693 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXTP32P20T
IXTP32P20T Elektroniset komponentit
IXTP32P20T Myynti
IXTP32P20T Toimittaja
IXTP32P20T Jakelija
IXTP32P20T Tietotaulukko
IXTP32P20T Kuvat
IXTP32P20T Hinta
IXTP32P20T Tarjous
IXTP32P20T Alin hinta
IXTP32P20T Hae
IXTP32P20T Ostaminen
IXTP32P20T Chip