Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
IXTQ32N65X

IXTQ32N65X

MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P
Osa numero
IXTQ32N65X
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
Toimittajan laitepaketti
TO-3P
Tehonhäviö (maks.)
500W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
135 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2205pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 10567 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta IXTQ32N65X
IXTQ32N65X Elektroniset komponentit
IXTQ32N65X Myynti
IXTQ32N65X Toimittaja
IXTQ32N65X Jakelija
IXTQ32N65X Tietotaulukko
IXTQ32N65X Kuvat
IXTQ32N65X Hinta
IXTQ32N65X Tarjous
IXTQ32N65X Alin hinta
IXTQ32N65X Hae
IXTQ32N65X Ostaminen
IXTQ32N65X Chip