Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
IXTQ52P10P

IXTQ52P10P

MOSFET P-CH 100V 52A TO-3P
Osa numero
IXTQ52P10P
Valmistaja/merkki
Sarja
PolarP™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
Toimittajan laitepaketti
TO-3P
Tehonhäviö (maks.)
300W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2845pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 36088 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta IXTQ52P10P
IXTQ52P10P Elektroniset komponentit
IXTQ52P10P Myynti
IXTQ52P10P Toimittaja
IXTQ52P10P Jakelija
IXTQ52P10P Tietotaulukko
IXTQ52P10P Kuvat
IXTQ52P10P Hinta
IXTQ52P10P Tarjous
IXTQ52P10P Alin hinta
IXTQ52P10P Hae
IXTQ52P10P Ostaminen
IXTQ52P10P Chip