IXTT68P20T
MOSFET P-CH 200V 68A TO-268
Osa numero
IXTT68P20T
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchP™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Toimittajan laitepaketti
TO-268
Tehonhäviö (maks.)
568W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
68A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
380nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
33400pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±15V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 45426 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXTT68P20T
IXTT68P20T Elektroniset komponentit
IXTT68P20T Myynti
IXTT68P20T Toimittaja
IXTT68P20T Jakelija
IXTT68P20T Tietotaulukko
IXTT68P20T Kuvat
IXTT68P20T Hinta
IXTT68P20T Tarjous
IXTT68P20T Alin hinta
IXTT68P20T Hae
IXTT68P20T Ostaminen
IXTT68P20T Chip