IXTY12N06TTRL
MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
Osa numero
IXTY12N06TTRL
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchMV™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
TO-252
Tehonhäviö (maks.)
33W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 25µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
3.4nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
256pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 25972 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXTY12N06TTRL
IXTY12N06TTRL Elektroniset komponentit
IXTY12N06TTRL Myynti
IXTY12N06TTRL Toimittaja
IXTY12N06TTRL Jakelija
IXTY12N06TTRL Tietotaulukko
IXTY12N06TTRL Kuvat
IXTY12N06TTRL Hinta
IXTY12N06TTRL Tarjous
IXTY12N06TTRL Alin hinta
IXTY12N06TTRL Hae
IXTY12N06TTRL Ostaminen
IXTY12N06TTRL Chip