IXTY1R4N60P
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
Osa numero
IXTY1R4N60P
Valmistaja/merkki
Sarja
PolarHV™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
TO-252, (D-Pak)
Tehonhäviö (maks.)
50W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 54580 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXTY1R4N60P
IXTY1R4N60P Elektroniset komponentit
IXTY1R4N60P Myynti
IXTY1R4N60P Toimittaja
IXTY1R4N60P Jakelija
IXTY1R4N60P Tietotaulukko
IXTY1R4N60P Kuvat
IXTY1R4N60P Hinta
IXTY1R4N60P Tarjous
IXTY1R4N60P Alin hinta
IXTY1R4N60P Hae
IXTY1R4N60P Ostaminen
IXTY1R4N60P Chip