MMIX1F420N10T
MOSFET N-CH 100V 334A SMPD
Osa numero
MMIX1F420N10T
Valmistaja/merkki
Sarja
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
24-PowerSMD, 21 Leads
Toimittajan laitepaketti
24-SMPD
Tehonhäviö (maks.)
680W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
334A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
670nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 25452 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta MMIX1F420N10T
MMIX1F420N10T Elektroniset komponentit
MMIX1F420N10T Myynti
MMIX1F420N10T Toimittaja
MMIX1F420N10T Jakelija
MMIX1F420N10T Tietotaulukko
MMIX1F420N10T Kuvat
MMIX1F420N10T Hinta
MMIX1F420N10T Tarjous
MMIX1F420N10T Alin hinta
MMIX1F420N10T Hae
MMIX1F420N10T Ostaminen
MMIX1F420N10T Chip