SI2312-TP
N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
Osa numero
SI2312-TP
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
SOT-23
Tehonhäviö (maks.)
350mW (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
41 mOhm @ 4.3A, 1.8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
865pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 54588 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI2312-TP
SI2312-TP Elektroniset komponentit
SI2312-TP Myynti
SI2312-TP Toimittaja
SI2312-TP Jakelija
SI2312-TP Tietotaulukko
SI2312-TP Kuvat
SI2312-TP Hinta
SI2312-TP Tarjous
SI2312-TP Alin hinta
SI2312-TP Hae
SI2312-TP Ostaminen
SI2312-TP Chip