APT5012JN
MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP
Osa numero
APT5012JN
Valmistaja/merkki
Sarja
POWER MOS IV®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tray
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Chassis Mount
Paketti / kotelo
SOT-227-4, miniBLOC
Toimittajan laitepaketti
ISOTOP®
Tehonhäviö (maks.)
520W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
370nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6500pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 50622 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta APT5012JN
APT5012JN Elektroniset komponentit
APT5012JN Myynti
APT5012JN Toimittaja
APT5012JN Jakelija
APT5012JN Tietotaulukko
APT5012JN Kuvat
APT5012JN Hinta
APT5012JN Tarjous
APT5012JN Alin hinta
APT5012JN Hae
APT5012JN Ostaminen
APT5012JN Chip