APTC80SK15T1G
MOSFET N-CH 800V 28A SP1
Osa numero
APTC80SK15T1G
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Bulk
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Chassis Mount
Paketti / kotelo
SP1
Toimittajan laitepaketti
SP1
Tehonhäviö (maks.)
277W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
800V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 2mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4507pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen chen_hx1688@hotmail.com, vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 35420 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta APTC80SK15T1G
APTC80SK15T1G Elektroniset komponentit
APTC80SK15T1G Myynti
APTC80SK15T1G Toimittaja
APTC80SK15T1G Jakelija
APTC80SK15T1G Tietotaulukko
APTC80SK15T1G Kuvat
APTC80SK15T1G Hinta
APTC80SK15T1G Tarjous
APTC80SK15T1G Alin hinta
APTC80SK15T1G Hae
APTC80SK15T1G Ostaminen
APTC80SK15T1G Chip