APTM20UM05SG
MOSFET N-CH 200V 317A J3
Osa numero
APTM20UM05SG
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Bulk
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Chassis Mount
Paketti / kotelo
J3 Module
Toimittajan laitepaketti
Module
Tehonhäviö (maks.)
1136W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
317A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
448nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
27400pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 23612 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta APTM20UM05SG
APTM20UM05SG Elektroniset komponentit
APTM20UM05SG Myynti
APTM20UM05SG Toimittaja
APTM20UM05SG Jakelija
APTM20UM05SG Tietotaulukko
APTM20UM05SG Kuvat
APTM20UM05SG Hinta
APTM20UM05SG Tarjous
APTM20UM05SG Alin hinta
APTM20UM05SG Hae
APTM20UM05SG Ostaminen
APTM20UM05SG Chip