APTM50UM19SG
MOSFET N-CH 500V 163A J3
Osa numero
APTM50UM19SG
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Bulk
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Chassis Mount
Paketti / kotelo
J3 Module
Toimittajan laitepaketti
Module
Tehonhäviö (maks.)
1136W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
163A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 81.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
492nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
22400pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 8540 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta APTM50UM19SG
APTM50UM19SG Elektroniset komponentit
APTM50UM19SG Myynti
APTM50UM19SG Toimittaja
APTM50UM19SG Jakelija
APTM50UM19SG Tietotaulukko
APTM50UM19SG Kuvat
APTM50UM19SG Hinta
APTM50UM19SG Tarjous
APTM50UM19SG Alin hinta
APTM50UM19SG Hae
APTM50UM19SG Ostaminen
APTM50UM19SG Chip