PHT6NQ10T,135
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Osa numero
PHT6NQ10T,135
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Toimittajan laitepaketti
SOT-223
Tehonhäviö (maks.)
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
633pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 14431 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta PHT6NQ10T,135
PHT6NQ10T,135 Elektroniset komponentit
PHT6NQ10T,135 Myynti
PHT6NQ10T,135 Toimittaja
PHT6NQ10T,135 Jakelija
PHT6NQ10T,135 Tietotaulukko
PHT6NQ10T,135 Kuvat
PHT6NQ10T,135 Hinta
PHT6NQ10T,135 Tarjous
PHT6NQ10T,135 Alin hinta
PHT6NQ10T,135 Hae
PHT6NQ10T,135 Ostaminen
PHT6NQ10T,135 Chip