PMV280ENEAR
MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Osa numero
PMV280ENEAR
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchMOS™
Osan tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
TO-236AB
Tehonhäviö (maks.)
580mW (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
385 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 50V
Vgs (max)
±20V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 46026 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta PMV280ENEAR
PMV280ENEAR Elektroniset komponentit
PMV280ENEAR Myynti
PMV280ENEAR Toimittaja
PMV280ENEAR Jakelija
PMV280ENEAR Tietotaulukko
PMV280ENEAR Kuvat
PMV280ENEAR Hinta
PMV280ENEAR Tarjous
PMV280ENEAR Alin hinta
PMV280ENEAR Hae
PMV280ENEAR Ostaminen
PMV280ENEAR Chip