PMZB950UPEYL
MOSFET P-CH 20V XQFN3
Osa numero
PMZB950UPEYL
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
3-XFDFN
Toimittajan laitepaketti
DFN1006B-3
Tehonhäviö (maks.)
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
2.1nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
43pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 52646 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta PMZB950UPEYL
PMZB950UPEYL Elektroniset komponentit
PMZB950UPEYL Myynti
PMZB950UPEYL Toimittaja
PMZB950UPEYL Jakelija
PMZB950UPEYL Tietotaulukko
PMZB950UPEYL Kuvat
PMZB950UPEYL Hinta
PMZB950UPEYL Tarjous
PMZB950UPEYL Alin hinta
PMZB950UPEYL Hae
PMZB950UPEYL Ostaminen
PMZB950UPEYL Chip