PSMN1R9-40PLQ
MOSFET N-CH 40V 150A SOT78
Osa numero
PSMN1R9-40PLQ
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220AB
Tehonhäviö (maks.)
349W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
13200pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 36269 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta PSMN1R9-40PLQ
PSMN1R9-40PLQ Elektroniset komponentit
PSMN1R9-40PLQ Myynti
PSMN1R9-40PLQ Toimittaja
PSMN1R9-40PLQ Jakelija
PSMN1R9-40PLQ Tietotaulukko
PSMN1R9-40PLQ Kuvat
PSMN1R9-40PLQ Hinta
PSMN1R9-40PLQ Tarjous
PSMN1R9-40PLQ Alin hinta
PSMN1R9-40PLQ Hae
PSMN1R9-40PLQ Ostaminen
PSMN1R9-40PLQ Chip