PSMN2R0-30YLE,115
MOSFET N-CH 30V LFPAK
Osa numero
PSMN2R0-30YLE,115
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
SC-100, SOT-669
Toimittajan laitepaketti
LFPAK56, Power-SO8
Tehonhäviö (maks.)
272W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5217pF @ 15V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 28050 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta PSMN2R0-30YLE,115
PSMN2R0-30YLE,115 Elektroniset komponentit
PSMN2R0-30YLE,115 Myynti
PSMN2R0-30YLE,115 Toimittaja
PSMN2R0-30YLE,115 Jakelija
PSMN2R0-30YLE,115 Tietotaulukko
PSMN2R0-30YLE,115 Kuvat
PSMN2R0-30YLE,115 Hinta
PSMN2R0-30YLE,115 Tarjous
PSMN2R0-30YLE,115 Alin hinta
PSMN2R0-30YLE,115 Hae
PSMN2R0-30YLE,115 Ostaminen
PSMN2R0-30YLE,115 Chip