PSMN4R8-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V D2PAK
Osa numero
PSMN4R8-100BSEJ
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
D2PAK
Tehonhäviö (maks.)
405W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
120A (Tj)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
278nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
14400pF @ 50V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 23322 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta PSMN4R8-100BSEJ
PSMN4R8-100BSEJ Elektroniset komponentit
PSMN4R8-100BSEJ Myynti
PSMN4R8-100BSEJ Toimittaja
PSMN4R8-100BSEJ Jakelija
PSMN4R8-100BSEJ Tietotaulukko
PSMN4R8-100BSEJ Kuvat
PSMN4R8-100BSEJ Hinta
PSMN4R8-100BSEJ Tarjous
PSMN4R8-100BSEJ Alin hinta
PSMN4R8-100BSEJ Hae
PSMN4R8-100BSEJ Ostaminen
PSMN4R8-100BSEJ Chip