PHD16N03LT,118
MOSFET N-CH 30V 16A DPAK
Osa numero
PHD16N03LT,118
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Tehonhäviö (maks.)
32.6W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
67 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 30V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±15V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 53587 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta PHD16N03LT,118
PHD16N03LT,118 Elektroniset komponentit
PHD16N03LT,118 Myynti
PHD16N03LT,118 Toimittaja
PHD16N03LT,118 Jakelija
PHD16N03LT,118 Tietotaulukko
PHD16N03LT,118 Kuvat
PHD16N03LT,118 Hinta
PHD16N03LT,118 Tarjous
PHD16N03LT,118 Alin hinta
PHD16N03LT,118 Hae
PHD16N03LT,118 Ostaminen
PHD16N03LT,118 Chip