PMGD8000LN,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Osa numero
PMGD8000LN,115
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Teho - Max
200mW
Toimittajan laitepaketti
6-TSSOP
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
125mA
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 100µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
0.35nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
18.5pF @ 5V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 5072 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta PMGD8000LN,115
PMGD8000LN,115 Elektroniset komponentit
PMGD8000LN,115 Myynti
PMGD8000LN,115 Toimittaja
PMGD8000LN,115 Jakelija
PMGD8000LN,115 Tietotaulukko
PMGD8000LN,115 Kuvat
PMGD8000LN,115 Hinta
PMGD8000LN,115 Tarjous
PMGD8000LN,115 Alin hinta
PMGD8000LN,115 Hae
PMGD8000LN,115 Ostaminen
PMGD8000LN,115 Chip