PSMN3R9-60XSQ
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F
Osa numero
PSMN3R9-60XSQ
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Toimittajan laitepaketti
TO-220F
Tehonhäviö (maks.)
55W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
103nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5494pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 5190 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta PSMN3R9-60XSQ
PSMN3R9-60XSQ Elektroniset komponentit
PSMN3R9-60XSQ Myynti
PSMN3R9-60XSQ Toimittaja
PSMN3R9-60XSQ Jakelija
PSMN3R9-60XSQ Tietotaulukko
PSMN3R9-60XSQ Kuvat
PSMN3R9-60XSQ Hinta
PSMN3R9-60XSQ Tarjous
PSMN3R9-60XSQ Alin hinta
PSMN3R9-60XSQ Hae
PSMN3R9-60XSQ Ostaminen
PSMN3R9-60XSQ Chip