BSS138LT3G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
Osa numero
BSS138LT3G
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
SOT-23-3 (TO-236)
Tehonhäviö (maks.)
225mW (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
50V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 14939 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta BSS138LT3G
BSS138LT3G Elektroniset komponentit
BSS138LT3G Myynti
BSS138LT3G Toimittaja
BSS138LT3G Jakelija
BSS138LT3G Tietotaulukko
BSS138LT3G Kuvat
BSS138LT3G Hinta
BSS138LT3G Tarjous
BSS138LT3G Alin hinta
BSS138LT3G Hae
BSS138LT3G Ostaminen
BSS138LT3G Chip