Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
FDV302P-NB8V001

FDV302P-NB8V001

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Osa numero
FDV302P-NB8V001
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
SOT-23
Tehonhäviö (maks.)
350mW (Ta)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
25V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
11pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Vgs (max)
-8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 11221 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta FDV302P-NB8V001
FDV302P-NB8V001 Elektroniset komponentit
FDV302P-NB8V001 Myynti
FDV302P-NB8V001 Toimittaja
FDV302P-NB8V001 Jakelija
FDV302P-NB8V001 Tietotaulukko
FDV302P-NB8V001 Kuvat
FDV302P-NB8V001 Hinta
FDV302P-NB8V001 Tarjous
FDV302P-NB8V001 Alin hinta
FDV302P-NB8V001 Hae
FDV302P-NB8V001 Ostaminen
FDV302P-NB8V001 Chip