STD110N02RT4G
MOSFET N-CH 24V 32A DPAK
Osa numero
STD110N02RT4G
Valmistaja/merkki
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Tehonhäviö (maks.)
1.5W (Ta), 110W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
24V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
32A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3440pF @ 20V
Vgs (max)
±20V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 7049 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STD110N02RT4G
STD110N02RT4G Elektroniset komponentit
STD110N02RT4G Myynti
STD110N02RT4G Toimittaja
STD110N02RT4G Jakelija
STD110N02RT4G Tietotaulukko
STD110N02RT4G Kuvat
STD110N02RT4G Hinta
STD110N02RT4G Tarjous
STD110N02RT4G Alin hinta
STD110N02RT4G Hae
STD110N02RT4G Ostaminen
STD110N02RT4G Chip