NP60N04NUK-S18-AY
MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
Osa numero
NP60N04NUK-S18-AY
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Bulk
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Toimittajan laitepaketti
TO-262-3
Tehonhäviö (maks.)
1.8W (Ta), 105W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
4.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3680pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 31418 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta NP60N04NUK-S18-AY
NP60N04NUK-S18-AY Elektroniset komponentit
NP60N04NUK-S18-AY Myynti
NP60N04NUK-S18-AY Toimittaja
NP60N04NUK-S18-AY Jakelija
NP60N04NUK-S18-AY Tietotaulukko
NP60N04NUK-S18-AY Kuvat
NP60N04NUK-S18-AY Hinta
NP60N04NUK-S18-AY Tarjous
NP60N04NUK-S18-AY Alin hinta
NP60N04NUK-S18-AY Hae
NP60N04NUK-S18-AY Ostaminen
NP60N04NUK-S18-AY Chip