NP80N06PLG-E1B-AY
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Osa numero
NP80N06PLG-E1B-AY
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
TO-263
Tehonhäviö (maks.)
1.8W (Ta), 115W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
128nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6900pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 15830 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta NP80N06PLG-E1B-AY
NP80N06PLG-E1B-AY Elektroniset komponentit
NP80N06PLG-E1B-AY Myynti
NP80N06PLG-E1B-AY Toimittaja
NP80N06PLG-E1B-AY Jakelija
NP80N06PLG-E1B-AY Tietotaulukko
NP80N06PLG-E1B-AY Kuvat
NP80N06PLG-E1B-AY Hinta
NP80N06PLG-E1B-AY Tarjous
NP80N06PLG-E1B-AY Alin hinta
NP80N06PLG-E1B-AY Hae
NP80N06PLG-E1B-AY Ostaminen
NP80N06PLG-E1B-AY Chip