RJK0601DPN-E0#T2
MOSFET N-CH 60V 110A TO220
Osa numero
RJK0601DPN-E0#T2
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220AB
Tehonhäviö (maks.)
200W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
110A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
3.1 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
141nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
10000pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 38907 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta RJK0601DPN-E0#T2
RJK0601DPN-E0#T2 Elektroniset komponentit
RJK0601DPN-E0#T2 Myynti
RJK0601DPN-E0#T2 Toimittaja
RJK0601DPN-E0#T2 Jakelija
RJK0601DPN-E0#T2 Tietotaulukko
RJK0601DPN-E0#T2 Kuvat
RJK0601DPN-E0#T2 Hinta
RJK0601DPN-E0#T2 Tarjous
RJK0601DPN-E0#T2 Alin hinta
RJK0601DPN-E0#T2 Hae
RJK0601DPN-E0#T2 Ostaminen
RJK0601DPN-E0#T2 Chip