RJK2511DPK-00#T0
MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
Osa numero
RJK2511DPK-00#T0
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
Toimittajan laitepaketti
TO-3P
Tehonhäviö (maks.)
200W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
250V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
65A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4900pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 10093 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta RJK2511DPK-00#T0
RJK2511DPK-00#T0 Elektroniset komponentit
RJK2511DPK-00#T0 Myynti
RJK2511DPK-00#T0 Toimittaja
RJK2511DPK-00#T0 Jakelija
RJK2511DPK-00#T0 Tietotaulukko
RJK2511DPK-00#T0 Kuvat
RJK2511DPK-00#T0 Hinta
RJK2511DPK-00#T0 Tarjous
RJK2511DPK-00#T0 Alin hinta
RJK2511DPK-00#T0 Hae
RJK2511DPK-00#T0 Ostaminen
RJK2511DPK-00#T0 Chip