RJK6018DPM-00#T1
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
Osa numero
RJK6018DPM-00#T1
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-3PFM, SC-93-3
Toimittajan laitepaketti
TO-3PFM
Tehonhäviö (maks.)
60W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
30A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
235 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
92nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 28879 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta RJK6018DPM-00#T1
RJK6018DPM-00#T1 Elektroniset komponentit
RJK6018DPM-00#T1 Myynti
RJK6018DPM-00#T1 Toimittaja
RJK6018DPM-00#T1 Jakelija
RJK6018DPM-00#T1 Tietotaulukko
RJK6018DPM-00#T1 Kuvat
RJK6018DPM-00#T1 Hinta
RJK6018DPM-00#T1 Tarjous
RJK6018DPM-00#T1 Alin hinta
RJK6018DPM-00#T1 Hae
RJK6018DPM-00#T1 Ostaminen
RJK6018DPM-00#T1 Chip