GKI06259
MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN
Osa numero
GKI06259
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerTDFN
Toimittajan laitepaketti
8-DFN (5x6)
Tehonhäviö (maks.)
3.1W (Ta), 40W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 39548 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta GKI06259
GKI06259 Elektroniset komponentit
GKI06259 Myynti
GKI06259 Toimittaja
GKI06259 Jakelija
GKI06259 Tietotaulukko
GKI06259 Kuvat
GKI06259 Hinta
GKI06259 Tarjous
GKI06259 Alin hinta
GKI06259 Hae
GKI06259 Ostaminen
GKI06259 Chip